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Schütz, Reiner [VerfasserIn]

Über das Wachstum von InP im plasmaunterstützten MBE-Prozeß - [Als Ms. gedr.]

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Düsseldorf: VDI-Verl., 1990

Erschienen in: Verein Deutscher Ingenieure: Fortschrittberichte VDI / 9 ; 105
Wagner, Jan [VerfasserIn]

InP AlGaInP Quantenpunktlaser : Prozessierung und Emissionseigenschaften moderner Halbleiterquantenpunktlaser im sichtbaren Spektralbereich

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München: Meidenbauer, 2011
Weber, Rolf [VerfasserIn]

Untersuchungen zur Diffusion von Zink in InP und InGaAs(P) sowie über InGaAs(P)-InP-Heteroübergänge

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1990
Oertel, Detlef [VerfasserIn]

Einfluß von Grenzflächenrauhigkeit, Ordnungseffekten und Dotierungen auf die optischen Eigenschaften von InP-basierten MOCVD-Heterostrukturen

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1987
Pearsall, T. P. [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Pearsall, Thomas P. [HerausgeberIn] ; Institution of Electrical Engineers

Properties, processing and applications of indium phosphide

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London: INSPEC, Institution of Electrical Engineers, 2000

Erschienen in: EMIS datareviews series ; 2100
Blaser, Markus [VerfasserIn]

Monolithically integrated InGaAs-Inp photodiode junction field effect transistor receivers for fiber optic telecommunication

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1996 ; Mikrofiche-Ausg.
Wada, Osamu [HerausgeberIn]

InP-based materials and devices : physics and technology

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New York, NY; Weinheim [u.a.]: Wiley, 1999

Erschienen in: Wiley series in microwave and optical engineering- A Wiley-Interscience publication
Schulte, Karsten [VerfasserIn]

Photoelektrochemische Konditionierung und oberflächenanalytische Charakterisierung von p-InP-Halbleiterelektroden

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1999
Schnyder, Iwan [VerfasserIn]

An indium-phosphide double-heterojunction bipolar transistor technology for 80 Gb/s integrated circuits

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2005 ; Mikrofiche-Ausg.
Zwinge, Johannes G. [VerfasserIn]

Indiumphosphid-Strukturen aus der metallorganischen Gasphasenepitaxie für optoelektronische Bauelemente - [Als Ms. gedr.]

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Düsseldorf: VDI-Verl., 1994

Erschienen in: Verein Deutscher Ingenieure: Fortschrittberichte VDI / 9 ; 176
Schmitz, Norbert [VerfasserIn]

Ein Beitrag zur Technologie und Physik sperrender und Ohmscher Kontakte auf p-InP

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1985
Wehmann, Hergo-Heinrich [VerfasserIn]

Technologien für die Integration eines optischen Empfängers auf Indiumphosphid-Basis

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1987
Huber, Rupert [VerfasserIn]

Ultraschneller Aufbau von Coulomb-Korrelationen untersucht mit Femtosekunden-Terahertz-Spektroskopie

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2004
Heinecke, Harald [VerfasserIn]

Über das Wachstum von GaAs und InP im Plasma MOCVD-System

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1987
Tang, Guang-ping [VerfasserIn]

MOVPE-Schichten aus III/V-Halbleitern auf (001)-Si-Substraten - [Als Ms. gedr.]

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Düsseldorf: VDI-Verl., 1994

Erschienen in: Verein Deutscher Ingenieure: Fortschrittberichte VDI / 5 ; 36000
Gamper, Emil Thomas [VerfasserIn]

Realisation of integrated electro-optical and all-optical Mach-Zehnder devices based on indium-phosphide

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2000 ; Mikrofiche-Ausg.
Wittmann, Georg [VerfasserIn]

Verteilung der elektrisch aktiven Störstellen und des spezifischen Widerstandes in semi-isolierendem InP:Fe

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1994
Lubnow, Andreas [VerfasserIn]

Integration epitaktischer InP-Schichten in Si-MOS-Schaltungen

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Düsseldorf: VDI-Verlag, 1993

Erschienen in: Verein Deutscher Ingenieure: Fortschrittberichte VDI / 9 ; 166
Waasen, Stefan van [VerfasserIn]

Wanderwellenverstärker für hochbitratige monolithisch integrierte Photoempfänger auf Basis von InAlAs/InGaAs/InP-Heterostruktur-Feldeffekttransistoren - [Als Ms. gedr.]

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Aachen: Shaker, 1999

Erschienen in: Berichte aus der Halbleitertechnik
Lemmer, Michaela [VerfasserIn]

Space charge wave spectroscopy of wide bandgap semiconductors

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2008

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