Werner, Robin Marián
[VerfasserIn]
;
Eckel, Hans-Günter
[AkademischeR BetreuerIn];
Reimann, Tobias
[AkademischeR BetreuerIn];
Weigel, Jan
[AkademischeR BetreuerIn]Universität Rostock,
Universität Rostock Fakultät für Informatik und Elektrotechnik
Mechanismen und Ursachen von Stromfehlverteilungen zwischen parallelen Hochvolt-IGBT
Hochschulschrift:
Dissertation, Universität Rostock, 2020
Anmerkungen:
GutachterInnen: Hans-Günter Eckel (Universität Rostock, Institut für Elektrische Energietechnik) ; Tobias Reimann (TU Ilmenau, Institut für Elektrische Energie- und Steuerungstechnik) ; Jan Weigel (Siemens Mobility GmbH)
Beschreibung:
Zwischen parallelen IGBT treten Stromfehlverteilungen auf. Diese Fehlverteilungen haben einen Einfluss auf die Leistungsfähigkeit der Parallelschaltung. In dieser Arbeit werden für verschiedene Situation Mechanismen beschrieben, die zu Stromfehlverteilungen führen. Die betrachteten Situationen sind der Durchlass bei statischem und veränderlichem Laststrom, das Ein- sowie Ausschalten der Halbleiter, die Kurzschlussfälle I und II und das Abschalten eines Kurzschlussstroms. Für diese Situationen werden, neben der Beschreibung der Mechanismen, untersucht, wodurch diese ausgelöst werden.<ger>
Current imbalances occur between paralleled IGBTs. Those imbalances affect the performance of the parallel operation. This thesis describes mechanisms which lead to such imbalances for different situations. The considered situations are on-state with static and varying load currents, the turn-on and -off of the semiconductors, short circuit types I and II and the turn-off of short circuit currents. In addition to the mechanisms which lead to current imbalances in those situations, their causes are described.<eng>