Entwicklung einer Technologie zur Herstellung eines neuartigen Substrates mit strukturierten vergrabenen Kobaltdisilizidschichten für die gemeinsame Integration bipolarer und unipolarer Bauteile auf einem SOI-Wafer
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Medientyp:
E-Book;
Hochschulschrift
Titel:
Entwicklung einer Technologie zur Herstellung eines neuartigen Substrates mit strukturierten vergrabenen Kobaltdisilizidschichten für die gemeinsame Integration bipolarer und unipolarer Bauteile auf einem SOI-Wafer