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Bockowski, M.; Strak, P.; Kempisty, P.; Grzegory, I.; Lucznik, B.; Krukowski, S.; Porowski, S.

Liquid phase epitaxy of GaN on MOCVD GaN/sapphire and HVPE free‐standing substrates under high nitrogen pressure

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  • Medientyp: E-Artikel
  • Titel: Liquid phase epitaxy of GaN on MOCVD GaN/sapphire and HVPE free‐standing substrates under high nitrogen pressure
  • Beteiligte: Bockowski, M.; Strak, P.; Kempisty, P.; Grzegory, I.; Lucznik, B.; Krukowski, S.; Porowski, S.
  • Erschienen: Wiley, 2008
  • Erschienen in: physica status solidi c
  • Sprache: Englisch
  • DOI: 10.1002/pssc.200778462
  • ISSN: 1862-6351; 1610-1642
  • Schlagwörter: Condensed Matter Physics
  • Entstehung:
  • Anmerkungen:
  • Beschreibung: <jats:title>Abstract</jats:title><jats:p>Results of liquid phase epitaxy of GaN on MOCVD sapphire/GaN and HVPE free‐standing GaN substrates by high pressure solution method are presented. The finite element calculation using experimentally measured temperatures is used for modeling the convective transport in the liquid gallium. The influence of a baffle and thermal conductivity of the various seeds for convection in liquid metal is analyzed in details. (© 2008 WILEY‐VCH Verlag GmbH &amp; Co. KGaA, Weinheim)</jats:p>