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Medientyp: E-Artikel Titel: Growth of Ge1−xSnx heteroepitaxial layers with very high Sn contents on InP(001) substrates Beteiligte: Nakamura, Marika; Shimura, Yosuke; Takeuchi, Shotaro; Nakatsuka, Osamu; Zaima, Shigeaki Erschienen: Elsevier BV, 2012 Erschienen in: Thin Solid Films Sprache: Englisch DOI: 10.1016/j.tsf.2011.10.153 ISSN: 0040-6090 Entstehung: Anmerkungen: