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Medientyp: E-Artikel Titel: Estimation and Compensation of Process-Induced Variations in Nanoscale Tunnel Field-Effect Transistors for Improved Reliability Beteiligte: Saurabh, Sneh; Kumar, M. Jagadesh Erschienen: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2010 Erschienen in: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability Sprache: Nicht zu entscheiden DOI: 10.1109/tdmr.2010.2054095 ISSN: 1530-4388; 1558-2574 Schlagwörter: Electrical and Electronic Engineering ; Safety, Risk, Reliability and Quality ; Electronic, Optical and Magnetic Materials Entstehung: Anmerkungen: