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Medientyp: Buch Titel: Advanced physical models for silicon device simulation Beteiligte: Schenk, Andreas [VerfasserIn] Erschienen: Wien; New York: Springer, 1998 Erschienen in: Computational microelectronics Umfang: XVIII, 348 S.; Ill., graph. Darst Sprache: Englisch ISBN: 3211830529 RVK-Notation: UP 3200 : Transportprozesse in Halbleitern, Gunn-Element, Gunn-Effekt ST 340 : Simulation Schlagwörter: Siliciumbauelement > Modellierung Entstehung: Anmerkungen: Literaturangaben
Bereichsbibliothek DrePunct – Magazin Signatur: R2017 8 19482 Barcode: 10086401 Status: Ausleihbar, bitte bestellen > Bestellen möglich - bitte anmelden