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Medientyp: E-Artikel Titel: 0.1- mu m-gate, ultrathin-film CMOS devices using SIMOX substrate with 80-nm-thick buried oxide layer Beteiligte: Omura, Y.; Nakashima, S.; Izumi, K.; Ishii, T. Erschienen: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 1993 Erschienen in: IEEE Transactions on Electron Devices Sprache: Nicht zu entscheiden DOI: 10.1109/16.210214 ISSN: 0018-9383 Schlagwörter: Electrical and Electronic Engineering ; Electronic, Optical and Magnetic Materials Entstehung: Anmerkungen: