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  3. Waechtler, Thomas [VerfasserIn]; Ding, Shao-Feng [VerfasserIn]; Hofmann, Lutz [VerfasserIn]; Mothes, Robert [VerfasserIn]; Xie, Qi [VerfasserIn]; Oswald, Steffen [VerfasserIn]; Detavernier, Christophe [VerfasserIn]; Schulz, Stefan E. [VerfasserIn]; Qu, Xin-Ping [VerfasserIn]; Lang, Heinrich [VerfasserIn]; Gessner, Thomas [VerfasserIn] ; Fraunhofer-Institut für Elektronische Nanosysteme ENAS, Technische Universität Chemnitz, Fudan University, Ghent University, Leibniz-Institut für Festkörper- und Werkstoffforschung IFW

    ALD-grown seed layers for electrochemical copper deposition integrated with different diffusion barrier systems

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    Amsterdam : Elsevier B.V., [2011]

  4. Hu, Xiao [VerfasserIn] ; Schulz, Stefan E. [AkademischeR BetreuerIn]; Schulz, Stefan E. [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Bartha, Johann W. [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]; Elliott, Simon D. [Sonstige Person, Familie und Körperschaft]

    Multiscale Simulation of Metallic Copper and Copper Oxide Atomic Layer Deposition from Cu Beta-diketonates

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    Chemnitz: Universitätsverlag der Technischen Universität Chemnitz; Chemnitz: Technische Universität Chemnitz, 2018