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Medientyp: E-Artikel Titel: Mechanism of state transition of a defect causing random-telegraph-noise-induced fluctuation in stress-induced leakage current of SiO2films Beteiligte: Ishida, Takeshi; Tega, Naoki; Mori, Yuki; Miki, Hiroshi; Mine, Toshiyuki; Kume, Hitoshi; Torii, Kazuyoshi; Yamada, Ren-ichi; Shiraishi, Kenji Erschienen: IOP Publishing, 2014 Erschienen in: Japanese Journal of Applied Physics Sprache: Nicht zu entscheiden DOI: 10.7567/jjap.53.08lb01 ISSN: 0021-4922; 1347-4065 Schlagwörter: General Physics and Astronomy ; Physics and Astronomy (miscellaneous) ; General Engineering Entstehung: Anmerkungen: